When The Planets Align Comparison between IGBT FZ and CZ wafer materials 优缺点 IGBT 芯片晶圆材料主要有二种，一种是CZ芯片，有6吋、8吋，12吋芯片。另一种是FZ芯片，FZ芯片相对贵很多、品质较好，有6吋、8吋，其中12吋FZ芯片长晶制程相对难，比较少见。 IGBT最好，还是选择FZ芯片，但因IGBT已往12吋发展，导致部份厂家在12吋芯片材料上选用CZ芯片，需要注意比较。 FZ或CZ，谁方法较普遍? FZ或CZ，谁可以做大的晶圆尺寸 (300 mm)? FZ或CZ，谁较便宜? FZ或CZ，谁有较高纯度 (无坩埚; 较少之污染)? IGBT硅晶圆材料种类 主流有两种，一种是直拉法（CZochralski，CZ法），一种是区熔法（Float-Zone，FZ）。 直拉法（CZ）：是用波兰科学家切克劳斯基（J·Czochralski）名字命名。1918年，Czochralski发表了用直拉法从熔体中生长单晶的论文，但并没有拉单晶，而是在实验室从熔融金属中拉制细灯丝。即便如此，CZ法还是奠定了硅晶体生长的理论基础。直到几十年后，戈登.K.蒂尔才真正让CZ法用于半导体晶体的拉制上，拉制的是锗单晶——把一个锗「晶籽」悬浮在熔融锗的坩埚中，慢慢地「拉出来」，最终形成一个又长又窄的锗单晶体。当前流行的CZ法拉制硅单晶棒的原理类似：将高纯度多晶硅在坩埚中融化，用一块单晶硅「籽晶」，悬浮在坩埚之上，一端插入熔体直到融化，缓慢旋转并向上提拉，一边拉一边冷凝形成单晶硅棒。 区熔法（FZ）：则是另外一种拉硅棒的方法，与直拉法在坩埚中融化多晶硅不同，区熔法是一边拉一边融化多晶硅棒，籽晶处在多晶硅棒的下方。自下而上，将一根多晶硅棒，变成单晶硅棒。 区熔法（Float-Zone，FZ） 直拉法（CZochralski，CZ法） [...]