Trade off between withstand voltage, leakage current, Vcesat (equivalent to resistance), Ic ON current, switching speed.

对于MOS而言，导通电阻是重要参数。IGBT在不同导通电流Ic下，导通电阻R变化极大。所以改用饱和压降Vcesat来取代导通电阻参数。在额定电流下可以作导通电阻R和饱和压降Vcesat换算。1200v 150A Trench IGBT, Vcesat =1.8v。

导通电阻R = 1.8v / 150A = 12 mΩ 相当小的內电阻。

在探讨新能源车的牵引逆变器功率器件首选是SiC还是Si 器件之前，我们先简单对比SIC MOSFET R=30mΩ 和 IGBT 1200v 150A 基本I-V特性：

从导通特性看，由于不同的物理结构，IGBT与SIC MSOFET具有不同的输出特性曲线。SiC MOSFET导通特性表现如一个电阻输出特性，而IGBT 则表现出一个非常明显的拐点(Knee Voltage)特性。这种技术上的差异即表现出两种器件不同的导通损耗特点。在电流较小时，SiC mosfet 具有更小的导通损耗，当电流较大（超过曲线交点，导通电流在30A）时，IGBT 的导通损耗则更小。当前市场上可以看到的配置基本分为 1)主驱动轴和辅驱动轴均采用了SiC功率器件; 2)主驱动轴采用高性能SiC 功率器件，而辅驱动轴则采用更具性价比的IGBT功率器件。

在芯片制程过程:

通常越高的导通电流(组件导通下)，常伴随的漏电流(组件关闭下)也会越高。
Vce=Ic x R，和IGBT I-V 曲线，在导通电流Ic小时，电阻相当高。通常用Vce表现来取代电阻参数。如果Vcesat要小，也可以让导通电流Ic不要操作在高电流区域。以1200v 150A為例，理论上，电流可以操作在150A，但实际上，舜间涌量电流(电流pulse)可以到450A。大厂牌的IGBT，在面对舜间涌量电流(电流 450A pulse)和涌量电压(电压 1440v pulse)，都有比较好的承受能力。使用者，或可以将1200v 150A IGBT，用于额定电流75A或50A或更下的设备需求上。

同一个组件，在承受电压越高下，漏电流也越大。因此组件的耐压定义也是由漏电流大小决定。例如某个组件，定义漏电流小于1mA，耐压可达1200V。但当定义漏电流小于100uA，耐压可能只剩1100V。或当定义漏电流小于1uA，耐压可能只剩100V不到。
如果，为了减少漏电流，不断加重某特定离子值入浓度，同时也是在減少导通时的导通电流。因此耐压VBD、导通电流Ic、漏电流Ioff，需要权衡与平衡。高导通电流Ic下，耐压VBD和漏电流Ioff的表现就会不好。

组件的开关速度Speed，组件特性已决定大部份。栅极Gate开启ON速度、关闭OFF速度，决定栅极Gate开关速度，其中，有充足的栅极Gate大驱动电流，栅极Gate电容小，就容易嚷栅极Gate从0v上升到15v，或15v快速下降到0v。在有栅极Gate负载下，维持住栅极Gate完美的0v/15v电压方波图形。导通电流(Collect to Emitter)的RC time delay作用下，会有拖尾巴电流。电阻R、电容C小最好。但IGBT在小电流时，是高阻值，在大电流时，才会有小电阻行为(IGBT I-V 曲线)。小电流下，如果电阻也要小，表示小电流Ic下的漏电流Ioff要大。同时，如果Vcesat也要小，的导通电流Ic也要小。

水流出水龙头偷，水龙头开开关关，水也断断续续，水龙头开关速度越快、频率越高，水流水量都会越小。越大的电流要突然开开又关关，同样也难，所以IGBT难以用于高频应用，特别是>100Khz。

IGBT 导通电流Ic vs 导通电阻R

应用领域：

由于IGBT是采用电导率调制的双极开关器件，因此与单极MOSFET相比，其开关速度更低，尤其是其在高温下的关断时间更长。因此，IGBT导致了更高的开关损耗。但另一方面，IGBT的优点是，即使在大电流和高温下，其也能轻松地实现高耐压，并具有相对较低的导通电压。

因此，使用硅材料制造的IGBT和MOSFET分别适合以下应用领域：

MOSFET：低压应用（200V至300V）
IGBT：高压应用（1200V以上）
IGBT和MOSFET用于400V至1200V应用范围内的不同用途：
（1）IGBT用于开关频率小于20kHz，需具备高过载耐受能力的逆变器应用。
（2）MOSFET用于开关频率超过20kHz的逆变器应用。
（3）MOSFET用于某些低容量逆变器应用，而IGBT用于软开关和大电流密度应用。应根据其特性正确使用IGBT和MOSFET。

应用分類：

IGBT的频率，实际应用上，主要还是取决于散热和电流。一般而言，关断延迟比开通延迟长。系统散热不佳，加上因开关导致能量的损失 (开通损耗是Eon，关断损耗是Eoff)，都会加重系统温度上升，最后IGBT失效。一般IGBT实际使用频率1~2KHz。最有效的方式，还是直接拿IGBT样品做测试，监控并比较实际系统温度。